За $200 млрд Samsung Electronics построит в Техасе 11 полупроводниковых заводов

Samsung подала документы на получение налоговых льгот в рамках запланированного строительства фабрик в Техасе. Первое из предприятий планируется ввести в эксплуатацию в 2034 году, а остальные — лишь к 2042-му. Корпорация рассчитывает создать в общей сложности 10 тысяч рабочих мест. Предполагается, что Samsung получит от властей налоговые льготы на общую сумму 4,8 млрд долларов.

«Обязательства и инвестиции Samsung относятся к собственному классу компании, — говорит Эд Латсон (Ed Latson), исполнительный директор Ассоциации региональных производителей Остина (Austin Regional Manufacturers Association). — Мы говорим о крупнейших иностранных инвестициях в США, они будут здесь, в нашем регионе. Это окажет огромное влияние на экономическое развитие и рост центрального Техаса».

Новости о планах Samsung появились незадолго до голосования американского Сената по законопроекту, предусматривающему субсидии общей стоимостью 50 млрд долларов для игроков полупроводниковой отрасли. Эту инициативу активно поддерживала Intel, связывая вероятное принятие закона с собственным намерением потратить миллиарды на строительство производственных площадок в Аризоне и Огайо.

В Техасе в конце 2022 года заканчивается действие программы стимулирования, в рамках которой предлагаются налоговые льготы на недвижимость в течение десяти лет для крупных инвестиций.

Samsung ранее сообщила, что планирует инвестиции в размере более 205 млрд долларов в течение трех лет, при этом делая производство микросхем приоритетной отраслью. Мировой дефицит полупроводников ударил по многим отраслям — от производства смартфонов и бытовой техники до автомобильной промышленности.

Samsung поставила целью к 2030 году обогнать TSMC в производстве передовых микросхем. В 2019 году она инвестировала в производство полупроводников 116 млрд долларов и через год представила первый 3-нм транзистор по архитектуре GAAFET. Производство электроники по 3-нм процессу запланировано на 2023 год.