Samsung стратегически концентрируется на разработке и производстве силовых полупроводников на карбиде кремния

Ожидается, что Стивен Хонг сыграет решающую роль в разработке направления и стратегии бизнеса Samsung по производству силовых полупроводников SiC. Кроме того, Samsung Electronics начала комплексную подготовку к производству силовых полупроводников на основе GaN. Приверженность Samsung этому начинанию подчеркивается ее решением приобрести новейшее оборудование MOCVD компании Aixtron, специально для обработки пластин GaN и SiC. Эти инвестиции оцениваются как минимум в 700-800 миллиардов корейских вон, что примерно эквивалентно 0,54-0,62 миллиарда долларов США.

Хотя ожидается, что предприятие Samsung по производству полупроводников третьего поколения будет запущено в 2025 году, в настоящее время оно находится на стадии исследований и образцов, что требует значительных инвестиций в оборудование для поддержки будущих усилий по массовому производству. Согласно анализу TrendForce, мировой рынок силовых устройств на основе карбида кремния, по прогнозам, достигнет $2,28 млрд в 2023 году с заметным ростом на 41,4% в годовом сопоставлении.

Ожидается, что к 2026 году он увеличится до $5,33 млрд. Компания Samsung совершила стратегический сдвиг, планируя производить полупроводники GaN и SiC на 8-дюймовых пластинах, отклонившись от обычного 6-дюймового подхода и привлекая внимание отрасли. Повышенное внимание к SiC согласуется с проблемами, с которыми сталкивается ее бизнес по производству пластин, где колебания коэффициентов использования производственных мощностей существенно влияют на финансовые показатели.

Согласно последнему исследованию TrendForce, ожидается, что коэффициент использования оборудования Samsung по производству 8-дюймовых пластин может упасть до 50% в 2024 году. Это снижение во многом связано с мировым сокращением спроса на полупроводники, усугубляемым геополитическими факторами. создание жесткой бизнес-среды, которая повлияла на объем заказов Samsung.

Поскольку спрос на силовые полупроводники SiC и GaN продолжает расти, а Samsung сталкивается с проблемами в своем бизнесе по производству кремниевых пластин, компания вместе с такими конкурентами, как DB Hitek и Key Foundry, готовится запустить услуги по производству 8-дюймовых GaN. Ожидается, что этот стратегический шаг будет реализован в период с 2025 по 2026 год. В ответ на эту многогранную динамику компания Samsung приняла ускоренный подход к GaN и SiC с целью захватить более значительную долю рынка и вдохнуть новую жизнь в свой традиционный бизнес по производству пластин.