Китай добился ключевого прогресса в сокращении технологического разрыва в производстве чипов памяти для мобильных устройств с Южной Кореей и США на фоне бушующей технологической войны

Компания ChangXin Memory Technologies (CXMT) сообщила сегодня, что она выпустила первый в Китае чип динамической памяти с произвольным доступом (DRAM) с двойной скоростью передачи данных 5 (LPDDR5) с низким энергопотреблением. 

Прорыв, который был достигнут на фоне ужесточения санкций США, направленных на препятствование развитию Китая в области производства передовых микросхем, позволит Китаю сократить зависимость от импортной продукции, которая используется в электронных гаджетах, таких как мобильные телефоны и ноутбуки. По данным компании CXMT из Хэфэя, один из ее продуктов, 12-гигабайтная  версия, включающая 8 кристаллов емкостью 12 ГБ каждый, уже прошел проверку китайскими производителями смартфонов, включая Xiaomi и Transsion.

 На изображении модуль памяти Samsung Double-Data-Rate (DDR) 5 емкостью 16 ГБ   Фото: Bloomberg

Прорыв в чипах памяти LPDDR5 произошел в то время, когда Китай сообщает о медленном, но устойчивом прогрессе в разработке и производстве полупроводников, хотя стране было отказано в доступе к важнейшим высокопроизводительным системам литографии от голландской фирмы ASML, а также от некоторых японских поставщиков. .