ChangXin Memory Technologies, ведущий китайский разработчик динамической памяти с произвольным доступом (DRAM), представила доклад о передовых транзисторах с круговым затвором на 69-й ежегодной Международной конференции IEEE по электронным устройствам.
Аналитики говорят, что свидетельства прогресса CXMT «впечатляют» и показывают, что компания недалеко от самых современных исследований и продуктов.
Согласно независимому анализу документа компании, представленного на международной конференции, ведущий китайский производитель чипов памяти продемонстрировал возможности своей разработки для универсального использования. Транзисторы круглого сечения (GAA) — самый совершенный тип транзисторов для новейших 3-нанометровых чипов.
Хотя CXMT не предоставила образец продукта, доказательства того, что китайская компания разбирается в производстве чипов памяти следующего поколения, привлекли внимание отраслевых аналитиков, поскольку в конструкции таких чипов обычно используются технологии, на которые распространяются экспортные ограничения США.
Фредерик Чен, эксперт по чипам памяти тайваньской компании Winbond Electronics, сказал, что свидетельства прогресса CXMT «впечатляют», поскольку они показывают, что китайская компания недалеко от самых современных исследований и продукты.
«Это важно, потому что Samsung Electronics пытается сделать то же самое», — сказал Чен.
В заявлении для газеты South China Morning Post в среду CXMT сообщила, что в документе «описаны фундаментальные исследования, связанные со структурой DRAM и осуществимостью конструкции 4F2» и «он не имеет ничего общего с текущими производственными процессами CXMT», предполагая, что разработка на бумаге еще далека от того, чтобы стать товаром на рынке.
«Любые обвинения в том, что CXMT нарушает санкции США или экспортный контроль, совершенно неверны», — заявили эксперты компании по экспортному контролю. «Мы твердо верим, что свободный поток идей, который IEDM стремится поощрять, имеет важное значение для инноваций и развития отрасли».
Две недели назад компания CXMT заявила, что она выпустила первый в Китае чип DRAM с двойной скоростью передачи данных 5 (LPDDR5) с низким энергопотреблением, сократив свое отставание от ведущих игроков, таких как южнокорейские Samsung и SK Hynix.