Американская компания Wolfspeed — дочернее подразделение компании CREE — торжественно открыла в штате Нью-Йорк крупнейший в мире завод по выпуску силовых полупроводниковых элементов на основе карбида кремния.
Честь перерезать ленточку доверили ключевому партнёру Wolfspeed — компании Lucid Motors, в чьих электромобилях Lucid Air широко используется электронные компоненты производства Wolfspeed.
Силовые элементы на основе карбида кремния (SiC) выгодно отличаются от аналогичных компонентов из кремния. В частности, у элементов на основе SiC выше электрическая прочность, меньше потери, выше быстродействие и рабочая температура, выше радиационная стойкость. Это делает силовые элементы на основе карбида кремния привлекательными для блоков питания, инверторов и других подсистем питания в устройствах от бытовой электроники до бортового оборудования космических аппаратов.
Например, в инверторах электромобилей Lucid Air используются силовые модули XM3 из карбида кремния компании Wolfspeed. Благодаря низким потерям на переключение, минимальному сопротивлению и высокой плотности мощности силовые модули XM3 способствуют повышению эффективности и плотности мощности электродвигателя Lucid Air весом 74 кг и мощностью 670 л.с. (500 кВт). Недавно компания Wolfspeed объявила о многолетнем соглашении с Lucid на поставку SiC-компонентов.
Новый завод, а также производство необходимых дополнительных материалов, которое стартует в Северной Каролине в конце текущего года, обеспечат компании и её клиентам необходимые поставки передовых силовых полупроводниковых приборов. Выпускаться силовые компоненты будут на 200-мм пластинах.
Интересно отметить, что компанию Wolfspeed в 2016 году договорилась купить немецкая компания Infineon. Вскоре сделка была заблокирована американским регулятором, как угрожающая национальной безопасности США. Компании Infineon пришлось выплатить неустойку Wolfspeed, а ещё год спустя уже Wolfspeed приобрела подразделение Infineon по производству радиочастотных компонентов (связь, 5G и так далее), как и ключевые технологии для производства элементов LDMOS, GaN и SiC.