Материал представляет собой графеноподобные слои AlSi из чередующихся атомов алюминия и кремния, сопряженные со слоями Gd (гадолиния), обеспечивающими магнитные свойства системы.
По информации Cnews, в Национальном исследовательском центре «Курчатовский институт» разработали новый материал — двумерный магнит, который позволит продолжить развитие традиционной кремниевой электроники в сторону уменьшения размеров и увеличения функциональности.
«Традиционная электроника на основе кремниевой платформы подошла к своему технологическому пределу. Для обеспечения компактности и функциональности элементной базы электроники необходимы новые технологии и материалы», — говорится в сообщении ученых.
Для синтеза материала был разработан подход, основанный на стабилизации слоистых структур в 2D-пределе и позволяющий контролировать толщину с точностью до монослоя. 2D-магнит — это магнитная система толщиной в один или несколько атомных слоев.
От толщины зависят свойства материала, прежде всего магнитные. Были получены пленки толщиной от одного до 10 монослоев, «поэтому разработка открывает широкие перспективы для синтеза целой серии новых материалов наноэлектроники и спинтроники», поясняется в докладе ученых.