Согласно недавним сообщениям Шанхайского научно-исследовательского института промышленных микротехнологий (SITRI), исследователи института достигли прорыва в технологии производства 300-миллиметровых пластин SOI. Они успешно создали первую в Китае 300-миллиметровую радиочастотную пластину кремния на изоляторе (RF-SOI).
Команда использовала ресурсы исследовательской платформы 300 мм SOI Китайской ключевой лаборатории материалов для интегральных схем, систематически решая критические технические проблемы, необходимые для 300-мм пластин RF-SOI. Это включало производство кристаллов с низким содержанием кислорода и высоким сопротивлением, осаждение пленок поликристаллического кремния с высоким удельным сопротивлением и низким напряжением, а также бесконтактную планаризацию.
Это достижение не только знаменует собой начало китайской технологии производства 300-мм SOI, но также, как ожидается, станет движущей силой всей цепочки разработки, производства и упаковки чипов RF-SOI в Китае.
Это также обеспечит стабильные поставки пластин SOI на китайские полупроводниковые фабрики.
Технология SOI имеет широкий спектр применений, включая RF-SOI для радиочастотных интерфейсов связи, мощные компоненты Power-SOI и технологию Photonics-SOI для оптической связи. Технология SOI, которая позиционирует кремниевые пластины на изоляционном материале, стала революционной инновацией с уникальными преимуществами, преодолевающими ограничения, связанные с традиционными кремниевыми материалами и интегральными схемами.