Intel хочет вернуть лидерство за три года, запустив ангстремный техпроцесс 18A

Компания придерживается сформулированного ранее плана и за следующие три года собирается внедрить ещё четыре более совершенных техпроцесса.

Технологический процесс Intel 7 (ранее 10 нм Enhanced SuperFin) уже успешно применяется компанией и доказал свою состоятельность. По этой технологии производятся процессоры семейства Alder Lake, кроме того, она же будет использоваться для изготовления других продуктов, которые будет представлены в течение года. Например, в серверных процессорах Sapphire Rapids, анонс которых должен состояться в ближайшее время.

В дальнейшем для подстраховки и ускорения ввода в строй новых техпроцессов Intel будет придерживаться некоторого подобия принципа «тик-так»: новые технологии будут разрабатываться парами, в первом техпроцессе из пары будут вводиться новые подходы, во втором они будут оптимизироваться и оттачиваться. Первую пару составят технологии Intel 4 и 3, вторую — Intel 20A и 18A.

Следующий за Intel 7 техпроцесс, Intel 4 (ранее 7 нм), в котором компания впервые использует литографию в сверхжёстком ультрафиолете, будет готов к массовому производству уже во второй половине 2022 года. По предварительным расчётам, поставленным целям по 20-процентному повышению производительности транзисторов на ватт этот техпроцесс вполне отвечает. Этот техпроцесс будет использоваться для выпуска клиентских процессоров Meteor Lake.

Далее, более прогрессивная технология Intel 3, как ожидается, появится в распоряжении Intel уже во второй половине 2023 года. Основываясь на ней, компания рассчитывает на дополнительное улучшение показателя «производительность на ватт» на 18 %. Её планируется использовать для выпуска будущих процессоров семейства Xeon.

Два следующих техпроцесса, знаменующих вхождение Intel в «эру ангстремов», по актуальному плану должны быть освоены в течение 2024 года. В этих техпроцессах Intel внедрит две принципиально новые технологии — транзисторы RibbonFET с каналом, окружённым затвором с четырёх сторон, и подведение питания с нижней стороны полупроводникового кристалла PowerVia. Ввод в строй технологии Intel 20A запланирован на первую половину 2024 года, и она должна обеспечить 15-процентный прогресс в производительности транзисторов в пересчёте на ватт. Последующий техпроцесс Intel 18A, как предполагается, будет освоен до конца того же года и позволит поднять эффективность полупроводниковых устройств ещё на 10 %.

Одновременно с техпроцессами Intel будет совершенствовать технологии компоновки многокристальных решений OMIB и Foveros. Уже в течение 2022 года некоторые из них найдут применение в серверных процессорах Sapphire Rapids и ускорителях вычислений Ponte Vecchio. Также до конца текущего года Intel обещает начать опытное производство потребительских процессоров Meteor Lake, где также будет использоваться многочиповый (тайловый) дизайн.

Более совершенные реализации технологии компоновки Foveros — Foveros Omni и Foveros Direct — предполагается внедрить в течение 2023 года.

Планы развития технологического производства Intel опираются на желание компании продолжать следовать закону Мура, удваивая число транзисторов в полупроводниковых устройствах каждые 24 месяца. В озвученной на мероприятии трактовке это означает, что к концу десятилетия Intel сможет предложить клиентам процессоры, имеющие в своём составе примерно 1 трлн транзисторов. В достижение этой цели компании должен помочь весь спектр технологических средств, включая EUV-литографию с высокой числовой апертурой, транзисторы RibbonFET, система питания PowerVia, а также новые способы компоновки полупроводниковых кристаллов Foveros Omni и Direct.

Источник